G.SKILL Модуль памяти Ripjaws F3-1600C11S-8GRSL, 8 ГБ, 1 x 8 ГБ, DDR3, 204-контактный SO-DIMM
Изображения продуктов приведены исключительно в иллюстративных целях и являются примерными. Оригинальный товар может отличаться, пожалуйста, ознакомьтесь со спецификациями товара, приведенными в описании продукта.
Стоимость
€ 71.92Цена в интернет-магазине может отличаться от цены в представительстве. Цена действует до исчерпания остатка у поставщика.
Способ и срок доставки
-
8-10 дней
-
8-10 дней
-
8-10 дней
-
8-10 дней
-
8-10 дня
Информация о продукте
| Код товара | F3-1600C11S-8GRSL |
| EAN | 4711148599962 |
Описание товара
Скорость имеет значение! Повысьте производительность с Ripjaws SO-DIMM!
Не тратьте время на ожидание работы вашего ПК. Извлеките максимум из вашего ноутбука с серией G.SKILL Ripjaws SO-DIMM. Будь то игры, программирование, мультимедийный монтаж или просто просмотр веб-страниц — вы мгновенно почувствуете прибавку к скорости! Это один из самых умных и экономичных способов повысить свою продуктивность и улучшить качество работы на ноутбуке!
Качество высшего класса
Каждый комплект оперативной памяти G.SKILL Ripjaws SO-DIMM на 100% прошел строгие тесты на отжиг от G.SKILL. Это гарантирует идеальную стабильность, производительность и качество каждого комплекта для вашего ноутбука.
Низкое напряжение 1.35В
Требуя всего 1.35 В, комплект оперативной памяти G.SKILL с низким напряжением SO-DIMM потребляет меньше энергии и выделяет меньше тепла. Это идеальное решение по памяти для продления времени работы аккумулятора вашего ноутбука и повышения стабильности за счет более низких температур.
Для процессоров Intel Core 3-го и 4-го поколений
Комплекты оперативной памяти G.SKILL Ripjaws 1.35V Low Voltage SO-DIMM совместимы с ноутбуками и ПК, оснащенными процессорами Intel 3-го и 4-го поколений с поддержкой 1.35V DDR3 SO-DIMM. G.Skill Ripjaws F3-1600C11S-8GRSL. Компонент для: Ноутбука, Внутренняя память: 8 ГБ, Конфигурация памяти (модули x размер): 1 x 8 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1600 МГц, Форм-фактор памяти: 204-pin SO-DIMM, Задержка CAS: 11





