GOODRAM Модуль памяти GR2666S464L19S/16G 16 ГБ 1 x 16 ГБ DDR4 2666 МГц
Изображения продуктов приведены исключительно в иллюстративных целях и являются примерными. Оригинальный товар может отличаться, пожалуйста, ознакомьтесь со спецификациями товара, приведенными в описании продукта.
Стоимость
€ 134.80Цена в интернет-магазине может отличаться от цены в представительстве. Цена действует до исчерпания остатка у поставщика.
Способ и срок доставки
-
5-7 дней
-
5-7 дней
-
5-7 дня
Информация о продукте
| Код товара | GR2666S464L19S/16G |
| EAN | 5908267960691 |
Описание товара
DDR4 SODIMM DRAM
Модули DDR4 SODIMM идеально подходят для мобильных ПК, которым требуется недорогое, но эффективное обновление в компактном форм-факторе. Поколение DDR4 является самым новым в семействе DDR, что делает его очень популярным.
Готовы к игре
Оперативная память GOODRAM DDR4 имеет объем 4 ГБ, 8 ГБ или 16 ГБ в одном модуле и доступна ТОЛЬКО в конфигурациях с одноканальным режимом. Тактовая частота 2666 МГц делает GOODRAM отличным выбором независимо от того, какая задача необходимо выполнить.
Пожизненная гарантия
Все модули памяти GOODRAM производятся в Польше (Европа) из высококачественных компонентов и проходят многоступенчатые испытания на качество перед отправкой в розничные магазины. Отдел контроля качества гарантирует, что каждый модуль идеально подготовлен к многолетнимtem использованиям, поэтому мы предоставляем нашим пользователям пожизненную гарантию.
Надежность и качество сборки
Чтобы обеспечить высочайшее качество модулей памяти GOODRAM, мы производим их только в сотрудничестве с лучшими поставщиками компонентов и используя отобранные чипы памяти от ведущих производителей. Мы прилагаем все усилия, чтобы каждая единица памяти, выходящая с нашей производственной линии, соответствовала самым высоким стандартам качества. Учитывая это, мы можем обеспечить все модули памяти GOODRAM пожизненной гарантией. Goodram GR2666S464L19S/16G. Компонент для: Ноутбука, Внутренняя память: 16 ГБ, Конфигурация памяти (модули x размер): 1 x 16 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR4, Тактовая частота памяти: 2666 МГц, Форм-фактор памяти: 260-pin SO-DIMM, Задержка CAS: 19



