GOODRAM Модуль памяти GR2666S464L19S/8G, 8 ГБ, 1 x 8 ГБ, DDR4, 2666 МГц
Изображения продуктов приведены исключительно в иллюстративных целях и являются примерными. Оригинальный товар может отличаться, пожалуйста, ознакомьтесь со спецификациями товара, приведенными в описании продукта.
Стоимость
€ 81.68Цена в интернет-магазине может отличаться от цены в представительстве. Цена действует до исчерпания остатка у поставщика.
Способ и срок доставки
-
8-10 дней
-
8-10 дней
-
8-10 дней
-
8-10 дней
-
8-10 дня
Информация о продукте
| Код товара | GR2666S464L19S/8G |
| EAN | 5908267940990 |
Описание товара
DDR4 SODIMM DRAM
Модули DDR4 SODIMM идеально подходят для мобильных ПК, которым требуется компактное, недорогое, но эффективное обновление. Поколение DDR4 является новейшим в семействе DDR, что делает его очень популярным.
Готовы к игре
Память GOODRAM DDR4 имеет объем 4 ГБ, 8 ГБ или 16 ГБ в одном модуле и доступна ТОЛЬКО в одноканальной конфигурации. Тактовая частота 2666 МГц делает GOODRAM отличным выбором для любых задач.
Пожизненная гарантия
Все модули памяти GOODRAM производятся в Польше (Европа) с использованием тщательно отобранных компонентов и проходят многоэтапные испытания качества перед отправкой в розничные магазины. Отдел контроля качества гарантирует, что каждый модуль идеально подготовлен к многолетнему использованию, поэтому мы предоставляем нашим пользователям пожизненную гарантию.
Надежность и качество сборки
Чтобы обеспечить высочайшее качество модулей памяти GOODRAM, мы производим их только в сотрудничестве с лучшими поставщиками компонентов, используя отборные чипы памяти от ведущих производителей. Мы прилагаем все усилия, чтобы каждая единица памяти, сходящая с нашей производственной линии, соответствовала самым высоким стандартам качества. С учетом этого мы можем предоставить пожизненную гарантию на все модули памяти GOODRAM. Goodram GR2666S464L19S/8G. Компонент для: Ноутбука, Внутренняя память: 8 ГБ, Конфигурация памяти (модули x объем): 1 x 8 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR4, Тактовая частота памяти: 2666 МГц, Форм-фактор памяти: 260-pin SO-DIMM, CAS latency: 19






